A protection circuit for use in a semiconductor apparatus includes a first
conductivity type semiconductor substrate, a second conductivity type
first diffusion region formed on the semiconductor substrate, and a second
conductivity type second diffusion region formed on the semiconductor
substrate. The second diffusion region is distanced at a prescribed
interval from the first diffusion region. The first diffusion region is
electrically connected to a pad for electrically connecting the
semiconductor apparatus to an outside region. The second diffusion region
is electrically connected to a power supply voltage. At least a portion of
each of the first and second diffusion regions is entirely formed right
under a pad area having the pad.
Un circuit de protection pour l'usage dans un appareillage de semi-conducteur inclut un premier type substrat de conductivité de semi-conducteur, un deuxième type la première région de conductivité de diffusion formée sur le substrat de semi-conducteur, et un deuxième type deuxièmes région de conductivité de diffusion formée sur le substrat de semi-conducteur. La deuxième région de diffusion est distancée à un intervalle prescrit de la première région de diffusion. La première région de diffusion est électriquement reliée à une garniture pour relier électriquement l'appareillage de semi-conducteur à une région extérieure. La deuxième région de diffusion est électriquement reliée à une tension d'alimentation d'énergie. Au moins une partie de chacune des premières et deuxièmes régions de diffusion est entièrement formée bien sous un secteur de garniture ayant la garniture.
