A high aspect ratio contact structure formed over a junction region in a
silicon substrate comprises a titanium interspersed with titanium silicide
layer that is deposited in the contact opening and directly contacts an
upper surface of the substrate. Silicon-doping of CVD titanium, from the
addition of SiH.sub.4 during deposition, reduces consumption of substrate
silicon during the subsequent silicidation reaction in which the titanium
reacts with silicon to form a titanium silicide layer that provides low
resistance electrical contacts between the junction region and the silicon
substrate. The contact structure further comprises a titanium nitride
contact fill that is deposited in the contact opening and fills
substantially the entire contact opening.
Une structure élevée de contact d'allongement a formé au-dessus d'une région de jonction dans un substrat de silicium comporte un titane entremêlé avec la couche titanique de siliciure qui est déposée dans l'ouverture de contact et entre en contact avec directement un extrados du substrat. Silicium-enduire du titane de CVD, de l'addition de SiH.sub.4 pendant le dépôt, réduit la consommation du silicium de substrat pendant la réaction suivante de silicidation dans laquelle le titane réagit avec du silicium à la forme par couche titanique de siliciure qui fournit les contacts électriques de basse résistance entre la région de jonction et le substrat de silicium. La structure de contact autre comporte une suffisance titanique de contact de nitrure qui est déposée dans l'ouverture de contact et remplit sensiblement ouverture entière de contact.
