A nonvolatile semiconductor storage element, which is provided with a
floating gate electrode, and a dielectric capacitor and a ferroelectric
capacitor both connected to the floating gate electrode. By applying
voltage between a first polarization voltage supplying terminal and a
second polarization voltage supplying terminal, polarization serving as
information is generated in the ferroelectric film of the ferroelectric
capacitor. Additionally, when a read-out voltage is applied between the
ground terminal and the power source voltage terminal that are in
connection with the source and drain regions, the MISFET is turned either
on or off in correspondence to the state of the charge held in the
floating gate electrode, and thus information within the floating gate
electrode is read out.
Слаболетучий элемент хранения полупроводника, который обеспечен с плавая электродом строба, и диэлектрический конденсатор и ferroelectric конденсатор оба соединились к плавая электроду строба. Путем придавать напряжение тока между стержнем первого напряжения тока поляризации поставляя и стержнем второго напряжения тока поляризации поставляя, сервировка поляризации как информация произведена в ferroelectric пленке ferroelectric конденсатора. Дополнительно, когда напряжение тока отсчета приложено между земным стержнем и стержнем напряжения тока источника питания который в связи с источником и стекают зоны, MISFET повернуто или дальше или в корреспонденцию к положению обязанности, котор держат в плавая электроде строба, и таким образом информация внутри плавая электрод строба прочитана вне.
