In a mono-crystal oxide conductive member on a silicon substrate, including
an electrode material of a perovskite type piezoelectric element and an
electrostrictive material and an oxide conductive material as a film
formation substrate, a distance x between silicon atoms and a distance y
between atoms of the mono-crystal oxide conductive member satisfy the
following relationship:
##EQU1##
(n and m are given positive integers, 1.ltoreq.n.ltoreq.5,
1.ltoreq.m.ltoreq.7 and nx.ltoreq.3, my.ltoreq.3).
In een geleidend lid van het monokristaloxyde op een siliciumsubstraat, met inbegrip van een elektrodenmateriaal van een perovskite type piezoelectric element en een electrostrictive materiaal en een oxyde geleidend materiaal als substraat van de filmvorming, stellen een afstand x tussen siliciumatomen en een afstand y tussen atomen van het geleidende lid van het monokristaloxyde de volgende verhouding tevreden: ## EQU1 ## (n en m worden gegeven positieve gehelen, 1.ltoreq.n.ltoreq.5, 1.ltoreq.m.ltoreq.7 en nx.ltoreq.3, my.ltoreq.3).
