The light emitting device according to the present invention is
characterized in that a gate electrode comprising plurality of conductive
films is formed, and concentration of impurity regions in an active layer
are adjusted with making use of selectivity of the conductive films in
etching and using them as masks. The present invention reduces the number
of photolithography steps in relation to manufacturing the TFT for
improving yield of the light emitting device and shortening manufacturing
term thereof, by which a light emitting device and an electronic appliance
are inexpensively provided.
Светлое испуская приспособление согласно присытствыющему вымыслу охарактеризовано в что сформирован электрод строба состоя из множественности проводных пленок, и концентрация зон примеси в активно слое отрегулирована с использовать селективность проводных пленок в вытравливании и использованием их как маски. Присытствыющий вымысел уменьшает число шагов фотолитографии по отношению к изготовлять TFT для улучшать выход светлого испуская приспособления и сокращать термин изготавливания thereof, которым светлое испуская приспособление и электронный прибор недорог обеспечены.
