A polishing slurry including an abrasive, deionized water, a pH controlling
agent, and polyethylene imine, can control the removal rates of a silicon
oxide layer and a silicon nitride layer which are simultaneously exposed
during chemical mechanical polishing (CMP) of a conductive layer. A
relative ratio of the removal rate of the silicon oxide layer to that of
the silicon nitride layer can be controlled by controlling an amount of
the choline derivative.
Una mezcla que pule incluyendo un abrasivo, un agua desionizada, un agente que controla del pH, y un imina del polietileno, puede controlar los índices del retiro de una capa del óxido del silicio y de una capa del nitruro de silicio que se exponen simultáneamente durante pulir mecánico químico (CMP) de una capa conductora. Un cociente relativo del índice del retiro de la capa del óxido del silicio a el de la capa del nitruro de silicio puede ser controlado controlando una cantidad del derivado del choline.
