An electronic device substrate structure including a substrate 2, a metal
thin film 4 as a (111)-oriented film of a face-centered cubic structure or
as a (0001)-oriented film of a hexagonal closest packed structure formed
on the substrate 2, and a wurtzite type thin film 5 as a (0001)-oriented
film of a wurtzite crystal structure formed on the metal thin film 4,
wherein: each of the two thin films is a polycrystalline film containing
at least two kinds of crystal grains different in direction of crystal
orientation in the plane; when the metal thin film 4 is a (111)-oriented
film, <11-20> axes in the plane of the wurtzite type thin film 5 are
parallel to <1-10> axes in the plane of the metal thin film 4; and
when the metal thin film 4 is a (0001)-oriented film, <11-20> axes
in the plane of the wurtzite type thin film 5 are parallel to
<11-20> axes in the plane of the metal thin film 4.
Een elektronische structuur van het apparatensubstraat met inbegrip van een substraat 2, een metaal dunne film 4 als a (111)-georiënteerde film van een gezicht-gecentreerde kubieke structuur of als a (0001)-georiënteerde film van een hexagonale dichtste ingepakte structuur die op substraat 2, en een wurtzite type dunne film 5 als a wordt gevormd (0001)-georiënteerde film van een wurtzite kristalstructuur die op metaal dunne film 4 wordt gevormd, waarin: elk van de twee dunne films is een polycrystalline film die minstens twee soorten kristalkorrels verschillend bevat in richting van kristalrichtlijn in het vliegtuig; wanneer metaal dunne film 4 a is (de 111)-georiënteerde film, assen in het vliegtuig van wurtzite typt dunne film 5 11)-oriented film of a face-centered cubic structure or as a (0001)-oriented film of a hexagonal closest packed structure formed on the substrate 2, and a wurtzite type thin film 5 as a (0001)-oriented film of a wurtzite crystal structure formed on the metal thin film 4, wherein: each of the two thin films is a polycrystalline film containing at least two kinds of crystal grains different in direction of crystal orientation in the plane; when the metal thin film 4 is a (111)-oriented film, axes in the plane of the wurtzite type thin film 5 are parallel to axes in het vliegtuig van metaal dunne film 4; en wanneer metaal dunne film 4 a is (de 0001)-georiënteerde film, assen in het vliegtuig van wurtzite typt dunne film 5 is parallel met assen in het vliegtuig van metaal dunne film 4.
