A semiconductor device is provided which includes a semiconductor
substrate, metal conductors formed on a side of a main face of the
substrate, which metal conductors contain aluminum as a main constituent
thereof, and copper as an additive element, the metal conductors being
made to contain such an element as to suppress the precipitation of copper
or being made to have such a film adjacent to the metal conductor as to
suppress the precipitation of copper or being made to have such a film
adjacent to the metal conductor as to suppress the precipitation of
copper.
Se proporciona un dispositivo de semiconductor que incluye un substrato del semiconductor, conductores del metal formados en un lado de una cara principal del substrato, que los conductores del metal contienen el aluminio como componente principal de eso, y reviste con cobre como elemento aditivo, los conductores del metal que son hechos para contener tal elemento en cuanto a suprimen la precipitación del cobre o que es hecha para hacer tal película adyacente al conductor del metal en cuanto a suprima la precipitación del cobre o siendo hecha para hacer que tal película adyacente al conductor del metal en cuanto a suprima la precipitación del cobre.
