After crystallization of a semiconductor film is performed by irradiating
first laser light (energy density of 400 to 500 mJ/cm.sup.2) in an
atmosphere containing oxygen, an oxide film formed by irradiating the
first laser light is removed. It is next performed to irradiate second
laser light under an atmosphere that does not contain oxygen (at a higher
energy density than that of the first laser light irradiation), thus to
increase the flatness of the semiconductor film.
Αφότου εκτελείται η κρυστάλλωση μιας ταινίας ημιαγωγών με την ακτινοβόληση του πρώτου φωτός λέιζερ (ενεργειακή πυκνότητα 400 έως 500 mJ/$l*cm.sup.2) σε μια ατμόσφαιρα που περιέχει το οξυγόνο, μια ταινία οξειδίων που διαμορφώνεται με την ακτινοβόληση του πρώτου φωτός λέιζερ αφαιρείται. Εκτελείται έπειτα για να ακτινοβολήσει το δεύτερο φως λέιζερ κάτω από μια ατμόσφαιρα που δεν περιέχει το οξυγόνο (σε μια υψηλότερη ενεργειακή πυκνότητα από αυτή της πρώτης ελαφριάς ακτινοβολίας λέιζερ), κατά συνέπεια για να αυξήσει τη λειότητα της ταινίας ημιαγωγών.
