A semiconductor integrated circuit device has a semiconductor substrate, an
interlayer insulating film including SiOF films formed on a main surface
of the semiconductor substrate, a wiring groove formed by dry etching of
the interlayer insulating film, and a Cu wiring buried in the wiring
groove by a Damascene method, wherein a silicon oxynitride film is
provided between a silicon nitride film serving as an etching stopper
layer for the dry etching and the SiOF film, so that free F generated in
the SiOF film is trapped with the silicon oxynitride film.
Un dispositivo del circuito integrado del semiconductor tiene un substrato del semiconductor, una película aislador de la capa intermediaria incluyendo las películas de SiOF formadas en una superficie principal del substrato del semiconductor, un surco del cableado formado por la aguafuerte seca de la película aislador de la capa intermediaria, y un cableado del Cu enterrado en el surco del cableado por un método damasquino, en donde una película del oxynitride del silicio se proporciona entre una porción de la película del nitruro de silicio como capa del tapón de la aguafuerte para la aguafuerte seca y la película de SiOF, para atrapar F libre generada en la película de SiOF con la película del oxynitride del silicio.
