A process for producing a pattern of negative electron beam resist
comprises: depositing a layer of plasma polymerized fluoropolymer on a
face of a substrate, the plasma polymerized fluoropolymer forming the
negative electron beam resist; producing an electron beam; moving the
electron beam on the layer of plasma polymerized fluoropolymer to define
the pattern, the layer then having exposed fluoropolymer areas defining
the pattern and unexposed fluoropolymer areas; and removing the unexposed
fluoropolymer areas to leave only the pattern on the face of the
substrate. According to an alternative, the process comprises: depositing
the layer of negative electron beam resist on a face of a substrate;
producing an electron beam; moving the electron beam on the layer of
negative electron beam resist to define the pattern, the layer then having
exposed resist areas defining the pattern and unexposed resist areas;
treating the patterned layer with a base solution to decrease a dry etch
resistance of the unexposed resist areas; and dry etching the unexposed
resist areas to leave only the pattern on the face of the substrate.
Un procédé pour produire un modèle de faisceau d'électrons négatif résistent comporte : déposer une couche de plasma a polymérisé le fluoropolymer sur un visage d'un substrat, le fluoropolymer polymérisé par plasma formant le faisceau d'électrons négatif résistent ; production d'un faisceau d'électrons ; déplacer le faisceau d'électrons sur la couche de plasma a polymérisé le fluoropolymer pour définir le modèle, la couche alors ayant exposé des secteurs de fluoropolymer définissant le modèle et les secteurs non exposés de fluoropolymer ; et enlevant les secteurs non exposés de fluoropolymer sur le congé seulement le modèle sur le visage du substrat. Selon une alternative, le processus comporte : en déposant la couche du faisceau d'électrons négatif résistez sur un visage d'un substrat ; production d'un faisceau d'électrons ; en déplaçant le faisceau d'électrons sur la couche du faisceau d'électrons négatif résistez pour définir le modèle, la couche alors ayant exposé résistent à des secteurs définissant le modèle et non exposé résistez aux secteurs ; en traitant la couche modelée avec une solution basse pour diminuer une résistance sèche gravure à l'eau forte du non exposé résistez aux secteurs ; et gravure à l'eau-forte sèche le non exposé résistent à des secteurs pour laisser seulement le modèle sur le visage du substrat.
