A method of manufacturing an integrated circuit with a strained
semiconductor channel region. The method can provide a double gate
structure. The gate structure can be provided in and above a trench. The
trench can be formed in a compound semiconductor material such as a
silicon-germanium material. The strained semiconductor can increase the
charge mobility associated with the transistor. A silicon-on-insulator
substrate can be used.
Метод изготовлять интегрированную цепь с напрячьнной зоной канала полупроводника. Метод может обеспечить двойную структуру строба. Структуру строба можно обеспечить в и над шанце. Шанец можно сформировать в материале составного полупроводника such as материал кремни-germanego. Напрячьнный полупроводник может увеличить удобоподвижность обязанности связанную с транзистором. Субстрат кремни-на-izol4tora можно использовать.
