A substrate inspection apparatus 1-1 (FIG. 1) of the present invention
performs the following steps of: carrying a substrate "S" to be inspected
into an inspection chamber 23-1 maintaining a vacuum in said inspection
chamber; isolating said inspection chamber from a vibration; moving
successively said substrate by means of a stage 26-1 with at least one
degree of freedom; irradiating an electron beam having a specified width;
helping said electron beam reach to a surface of said substrate via a
primary electron optical system 10-1; trapping secondary electrons emitted
from said substrate via a secondary electron optical system 20-1 and
guiding it to a detecting system 35-1; forming a secondary electron image
in an image processing system based on a detection signal of a secondary
electron beam obtained by said detecting system; detecting a defective
location in said substrate based on the secondary electron image formed by
said image processing system; indicating and/or storing said defective
location in said substrate by CPU 37-1; and taking said completely
inspected substrate out of the inspection chamber. Thereby, the defect
inspection on the substrate can be performed successively with high level
of accuracy and efficiency as well as with higher throughput.
Un'apparecchiatura 1-1 di controllo del substrato (fig. 1) di presente invenzione effettua le seguenti operazione di: trasportando un substrato "S" da controllare in una camera di ispezione 23-1 che effettua un vuoto nella camera di ispezione detta; isolamento della camera di ispezione detta da una vibrazione; spostando substrato successivamente detto per mezzo di una fase 26-1 con almeno un grado di libertà; irradiando un fascio elettronico che ha una larghezza specificata; fascio elettronico detto d'assistenza raggiungere ad una superficie del substrato detto via un sistema ottico 10-1 dell'elettrone primario; intrappolando gli elettroni secondari emessi dal substrato detto via i sistemi ottico 20-1 e guidarlo dell'elettrone secondario ad un sistema di rilevazione 35-1; formando un'immagine secondaria dell'elettrone in un sistema di elaborazione di immagini basato su un segnale di rilevazione di un fascio elettronico secondario ottenuto dal sistema di rilevazione detto; la rilevazione della posizione difettosa in substrato detto basato sull'immagine secondaria dell'elettrone ha formato dal sistema detto di elaborazione di immagini; indicando e/o memorizzando posizione difettosa detta in substrato detto da CPU 37-1; e prendendo detto substrato completamente controllato dalla camera di ispezione. Quindi, il controllo di difetto sul substrato può essere realizzato successivamente con il livello elevato di esattezza e di efficienza così come con più alto rendimento.
