Methods are disclosed for printing (2-7) multilayer electronic components,
and circuits on a surface (2), where at least one of the layers is formed
by a redox reaction (6) occurring in a deposited solution (4, 5).
Electronic components may comprise semiconductors such as in transistors
or diode, or metal oxide or electrolyte such as in batteries or fuel
cells, or are capacitors, inductors, and resistors. Preferably, the
oxidizer of the redox reaction is a strong oxidizer, and the reducer is a
strong reducer (3). Reactions are preferably sufficiently exothermic that
they can be initiated (6), rather than driven to completion, by microwave
or other suitable energy sources, and may yield substantially pure metal
or metal oxide layers. The solution being deposited (5) may have either
high concentrations of particulates, such as 60-80 wt. % of dry weight, or
low concentrations of particulates, such as .ltoreq.5 wt. % or .ltoreq.2
wt. %. Low particulate content provides printing of structures having
lateral resolution of .ltoreq.10 .mu.m, .ltoreq.5 .mu.m, or .ltoreq.1
.mu.m.
Методы показаны для печатать (2-7) разнослоистые электронные компоненты, и цепи на поверхностное (2), где по крайней мере один из слоев сформировано redox реакцией (6) происходя в депозированном разрешении (4, 5). Электронными компонентами могут состоять из полупроводников such as в транзисторы или диод, или окиси металла или электролита such as в батареи или топливные элементы, или будут конденсаторами, индукторами, и резисторами. Предпочтительн, окислитель redox реакции будет сильным окислителем, и редуктор будет сильным редуктором (3). Реакции предпочтительн достаточно экзотермичны что их можно начать (6), rather than после того как я управили к завершению, микроволной или другими целесообразными источниками энергии, и могут произвести существенн чисто слои металла или окиси металла. Разрешение будучи депозированным (5) может иметь или высокую концентрацию particulates, such as 60-80 wt % сухого веса, или низкая концентрация particulates, such as wt % ltoreq.5 или % содержания wt ltoreq.2. низко частичного предусматривает печатать структур имея боковое разрешение mu.m ltoreq.10, mu.m ltoreq.5, или mu.m ltoreq.1.
