A lower multilayer reflection film (2), a light emitting layer forming
portion (6) and an upper multilayer reflection film (8) are sequentially
formed on a substrate (1) to form a semiconductor laminated portion (9),
and a current injection region A is formed at a part of the semiconductor
laminated portion so as to emit light from the surface in the center
thereof. And, according to the present invention, the current injection
region A is formed so as to be deflected from a center of the substrate.
As a result, there is provided a surface light emitting type semiconductor
laser capable of monitoring a light emitting power correctly and
controlling it automatically in order to achieve the constant light
emitting power in a case where the surface light emitting type laser chip
is used as a light source for a pickup or the like.
Una pellicola a più strati più bassa di riflessione (2), uno strato d'emissione chiaro che formano la parte (6) e una pellicola a più strati superiore di riflessione (8) sono formati in sequenza su un substrato (1) per formare una parte laminata semiconduttore (9) e una regione corrente A dell'iniezione è formata ad una parte della parte laminata semiconduttore in modo da emettere la luce dalla superficie nel centro di ciò. E, secondo la presente invenzione, la regione corrente A dell'iniezione è formata in modo da essere deviata da un centro del substrato. Di conseguenza, è fornito un tipo d'emissione chiaro di superficie laser a semiconduttore capace di controllo della luce che emette correttamente l'alimentazione e che la controlla automaticamente per realizzare la luce costante che emette l'alimentazione in un caso dove il tipo d'emissione chiaro di superficie circuito integrato del laser è usato come fonte di luce per una raccolta e simili.
