A semiconductor laminating portion including a light emitting layer forming
portion having at least an n-type layer and a p-type layer is formed on a
semiconductor substrate. A current blocking layer is partially formed on
its surface. A current diffusing electrode is formed on the entire surface
thereof. A bonding electrode is formed thereon. The semiconductor
laminating portion and the current diffusing electrode are separated into
light emitting unit portions A, electrode pad portion B, and connecting
portions C for connecting between electrode pad portion B and light
emitting unit portions A or between two of the light emitting unit
portions A, and the semiconductor laminating portion between the light
emitting unit portions A is removed through etching to make clearances
except for connecting portions C. The bonding electrode is formed on
electrode pad portion B.
Een halfgeleider het lamineren gedeelte met inbegrip van een lichte het uitzenden laag gedeelte vormen die minstens een n-type laag hebben en een p-type laag die wordt gevormd op een halfgeleidersubstraat. Een huidige het blokkeren laag wordt gedeeltelijk gevormd op zijn oppervlakte. Een huidige het verspreiden elektrode wordt daarvan gevormd op de volledige oppervlakte. Een elektrode wordt plakkend daarop gevormd. Het halfgeleider het lamineren gedeelte en de huidige het verspreiden elektrode zijn gescheiden in licht dat eenheidsgedeelten A, het gedeelte B uitzendt van het elektrodenstootkussen, en gedeelten C voor het verbinden tussen het gedeelte B van het elektrodenstootkussen en licht uitzendend eenheidsgedeelten A of tussen twee van het licht verbindt dat eenheidsgedeelten A uitzendt, en het halfgeleider het lamineren gedeelte tussen het licht dat eenheidsgedeelten A uitzendt wordt verwijderd door ets om ontruiming te maken behalve het verbinden van gedeelten C. De elektrode wordt plakkend gevormd op het gedeelte B van het elektrodenstootkussen.
