Ultra high-speed Si/SiGe modulation-doped field effect transistors on ultra thin SOI/SGOI substrate

   
   

A silicon and silicon germanium based semiconductor MODFET device design and method of manufacture. The MODFET design includes a high-mobility layer structure capable of ultra high-speed, low-noise for a variety of communication applications including RF, microwave, sub-millimeter-wave and millimeter-wave. The epitaxial field effect transistor layer structure includes critical (vertical and lateral) device scaling and layer structure design for a high mobility strained n-channel and p-channel transistor incorporating silicon and silicon germanium layers to form the optimum modulation-doped heterostructure on an ultra thin SOI or SGOI substrate capable of achieving greatly improved RF performance.

Un silicio y un germanio del silicio basaron diseño del dispositivo del semiconductor MODFET y el método de fabricación. El diseño de MODFET incluye una estructura de la capa de la alto-movilidad capaz de ultra de alta velocidad, de poco ruido para una variedad de usos de comunicación incluyendo RF, microonda, secundario-mili'metro-agita y onda milimétrica. La estructura epitaxial de la capa del transistor de efecto de campo incluye el diseño (vertical y lateral) crítico del escalamiento del dispositivo y de la estructura de la capa para que las capas del silicio del transistor de un n-canal que incorporan filtrado alta movilidad y del p-canal y del germanio del silicio formen la heteroestructura modulation-doped óptima en un substrato ultra fino de SOI o de SGOI capaz de alcanzar funcionamiento grandemente mejorado del RF.

 
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< Display device and manufacturing method thereof

< Semiconductor light emitting device

> Floating gate and fabricating method of the same

> High-breakdown-voltage semiconductor device

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