Described herein is a method for producing a haze-free (Ba, Sr)TiO.sub.3
(BST) film, and devices incorporating the same. In one embodiment, the BST
film is made haze-free by depositing the film with a substantially uniform
desired crystal orientation, for example, (100), preferably by forming the
film by metal-organic chemical vapor deposition at a temperature greater
than about 580.degree. C. at a rate of less than about 80 .ANG./min, to
result in a film having about 50 to 53.5 atomic percent titanium. In
another embodiment, where the BST film serves as a capacitor for a DRAM
memory cell, a desired {100} orientation is induced by depositing the
bottom electrode over a nucleation layer of NiO, which gives the bottom
electrode a preferential {100} orientation. BST is then grown over the
{100} oriented bottom electrode also with a {100} orientation. A
nucleation layer of materials such as Ti, Nb and Mn can also be provided
over the bottom electrode and beneath the BST film to induce smooth,
haze-free BST growth. Haze-free BST film can also be favored by forming
the bottom electrode at high temperatures close to those used for BST
deposition, and without a vacuum break between the bottom electrode and
BST deposition.
È descritto qui un metodo per produrre un opacità-libero (Ba, pellicola Sr)TiO.sub.3 (BST) e dispositivi che incorporano lo stesso. In un incorporamento, la pellicola di BST è resa opacità-libera depositando la pellicola con sostanzialmente un orientamento di cristallo voluto uniforme, per esempio, (100), preferibilmente formando la pellicola tramite il deposito di vapore chimico metallo-organico ad una temperatura più grande di circa 580.degree. C. ad un tasso meno di ANG./min circa 80, provocare una pellicola che ha titanio atomico da circa 50 - 53.5 percento. In un altro incorporamento, dove la pellicola di BST serve da condensatore per una cellula di memoria di DRAM, {i 100} orientamenti voluto sono indotti depositando l'elettrodo inferiore sopra uno strato di nucleazione di NiO, che dà all'elettrodo inferiore {i 100} orientamenti preferenziale. Il BST allora è eccedenza sviluppata {i 100} elettrodi inferiori orientati inoltre con l'orientamento di a {100}. Uno strato di nucleazione dei materiali quali Ti, N.B.: e manganese può anche essere fornito sopra l'elettrodo inferiore e sotto la pellicola di BST per indurre lo sviluppo regolare e opacità-libero di BST. la pellicola Opacità-libera di BST può anche essere favorita formando l'elettrodo inferiore alle alte temperature vicino a quelli usati per il deposito di BST e senza una rottura di vuoto fra l'elettrodo inferiore ed il deposito di BST.
