A trench gate type semiconductor device has an ON resistance that has been
reduced. The device has a drain electrode on one side of the substrate and
has a drift region, channel region, source region, and a source electrode
on the other side. The channel region is sandwiched between a trench gate
region covered with insulating film. Current passes when a positive bias
voltage is applied to the trench region, and current is cut off when a
negative bias voltage is applied.
Un type dispositif de porte de fossé de semi-conducteur a DESSUS une résistance qui a été réduite. Le dispositif a une électrode de drain d'un côté du substrat et a une région de dérive, la région de canal, la région de source, et une électrode de source de l'autre côté. La région de canal est serrée entre une région de porte de fossé couverte de film isolant. Le courant passe quand une tension de polarisation positive est appliquée à la région de fossé, et le courant est découpé quand une tension de polarisation négative est appliquée.
