A semiconductor structure includes a monocrystalline silicon substrate, an
amorphous oxide material overlying the monocrystalline silicon substrate,
a monocrystalline perovskite oxide material overlying the amorphous oxide
material, and a monocrystalline compound semiconductor material overlying
the monocrystalline perovskite oxide material. A composite transistor
includes a first transistor having first active regions formed in the
monocrystalline silicon substrate, a second transistor having second
active regions formed in the monocrystalline compound semiconductor
material, and a mode control terminal for controlling the first transistor
and the second transistor.
Uma estrutura do semicondutor inclui uma carcaça monocrystalline do silicone, um óxido amorfo material overlying a carcaça monocrystalline do silicone, um óxido monocrystalline do perovskite material overlying o material amorfo do óxido, e um semicondutor composto monocrystalline material overlying o material monocrystalline do óxido do perovskite. Um transistor composto inclui um primeiro transistor que têm primeiras regiões ativas dadas forma na carcaça monocrystalline do silicone, um segundo transistor que têm regiões em segundo ativas dadas forma no material monocrystalline do semicondutor composto, e um terminal do controle da modalidade para controlar o primeiro transistor e o segundo transistor.
