Disclosed are semiconductor devices and methods for fabricating the same.
According to one embodiment, the method includes sequentially forming a
gate insulation layer and a conductive layer on a semiconductor substrate.
A buried impurity region is then formed in the semiconductor substrate.
Thus, the gate insulation layer is formed before forming the buried
impurity region, thereby substantially reducing impurity diffusion that
can be caused by a thermal process for forming the gate insulation layer.
In addition, the gate insulation layer is not exposed, thus protecting the
gate insulation layer from being recessed.
Sono rilevati i dispositivi ed i metodi a semiconduttore per fabbricare lo stesso. Secondo un incorporamento, il metodo include in sequenza formare uno strato dell'isolamento del cancello e uno strato conduttivo su un substrato a semiconduttore. Una regione sepolta dell'impurità allora è formata nel substrato a semiconduttore. Quindi, lo strato dell'isolamento del cancello è formato prima di formare la regione sepolta dell'impurità, riducente quindi sostanzialmente la diffusione dell'impurità che può essere causata tramite un processo termico per formare lo strato dell'isolamento del cancello. In più, lo strato dell'isolamento del cancello non è esposto, così proteggendo lo strato dell'isolamento del cancello dal mettersi.
