A method and apparatus for sensing a state of a memory circuit, in
particular a content address memory (CAM) device are described. The method
includes receiving a first current signal as an input, the first current
signal corresponding to a state of the memory circuit, converting the
first current signal into a first voltage signal, converting the first
voltage signal into a second voltage signal and sensing the second voltage
signal. The apparatus includes an input adapted to receive a first current
signal, the first current signal corresponding to the state of the memory
circuit; and a current mirror circuit having a first portion adapted to
receive the first current signal and convert the first current signal to a
first voltage signal and a second portion adapted to receive the first
voltage signal and convert the first voltage signal into a second voltage
signal as an output.
Een methode en een apparaat om een staat van een geheugenkring te ontdekken, in het bijzonder het geheugen (CAM) apparaat een van het inhouds worden adres beschreven. De methode omvat het ontvangen van een eerste huidig signaal als input, het eerste huidige signaal dat aan een staat van de geheugenkring beantwoordt, die het eerste huidige signaal omzet in een eerste voltagesignaal dat, dat het eerste voltagesignaal omzet in een tweede voltagesignaal en het tweede voltagesignaal ontdekt. Het apparaat omvat een input die wordt aangepast om een eerste huidig signaal te ontvangen, het eerste huidige signaal dat aan de staat van de geheugenkring beantwoordt; en een huidige spiegelkring die een eerste gedeelte heeft dat wordt om het eerste huidige signaal te ontvangen en het eerste huidige signaal om te zetten in een eerste voltagesignaal en een tweede gedeelte dat wordt aangepast aangepast om het eerste voltagesignaal te ontvangen en het eerste voltagesignaal om te zetten in een tweede voltagesignaal als output.
