A low-k precursor reactant compound containing silicon and carbon atoms is
flowed into a CVD reaction chamber. High-frequency radio-frequency power
is applied to form a plasma. Preferably, the reaction chamber is part of a
dual-frequency PECVD apparatus, and low-frequency radio-frequency power is
applied to the reaction chamber. Reactive components formed in the plasma
react to form low-dielectric-constant silicon carbide (SiC) on a substrate
surface. A low-k precursor is characterized by one of: a silicon atom and
a carbon--carbon triple bond; a silicon atom and a carbon--carbon double
bond; a silicon--silicon bond; or a silicon atom and a tertiary carbon
group.
Een laag-k samenstelling die van de voorloperreactant silicium en koolstofatomen bevat wordt gestroomd in een de reactiekamer van CVD. De radiofrequentiemacht wordt met hoge frekwentie toegepast om een plasma te vormen. Bij voorkeur, maakt de reactiekamer deel uit van een dubbel-frequentiepecvd apparaat, en de radiofrequentiemacht wordt met lage frekwentie toegepast op de reactiekamer. De reactieve componenten die in het plasma worden gevormd reageren aan carbide van het vorm het laag-diëlektrisch-constante silicium (SiC) op een substraatoppervlakte. Een voorloper laag-k wordt gekenmerkt door één van: een siliciumatoom en een koolstof -- koolstof drievoudige band; een siliciumatoom en een koolstof -- koolstof dubbele band; een silicium -- siliciumband; of een siliciumatoom en een tertiaire koolstofgroep.
