A method of manufacturing a semiconductor substrate (7) includes the
processes of: forming an insulation film (2) on a surface of a
semiconductor substrate main body (1); forming an ion shield member (3)
having a predetermined shape on the insulation film; implanting an ion
into the semiconductor substrate main body from a side on which the
insulation film is formed, to thereby form an ion implantation layer (1a,
1b); removing the ion shield member; laminating the insulation film and a
support substrate (5) onto each other; and separating the semiconductor
substrate main body from the support substrate at a portion of the ion
implantation layer.
Μια μέθοδος ένα υπόστρωμα ημιαγωγών (7) περιλαμβάνει τις διαδικασίες: διαμόρφωση μιας ταινίας μόνωσης (2) σε μια επιφάνεια ενός κύριου σώματος υποστρωμάτων ημιαγωγών (1) διαμορφώνοντας ένα ιονικό μέλος ασπίδων (3) που έχει μια προκαθορισμένη μορφή στην ταινία μόνωσης εμφυτεύοντας ένα ιόν στο κύριο σώμα υποστρωμάτων ημιαγωγών από μια πλευρά στην οποία η ταινία μόνωσης διαμορφώνεται, για με αυτόν τον τρόπο να διαμορφώσει ένα ιονικό στρώμα εμφύτευσης (1a, 1b) απομάκρυνση του ιονικού μέλους ασπίδων τοποθέτηση σε στρώματα της ταινίας μόνωσης και ενός υποστρώματος υποστήριξης (5) ο ένας επάνω στον άλλο και χωρίζοντας το κύριο σώμα υποστρωμάτων ημιαγωγών από το υπόστρωμα υποστήριξης σε μια μερίδα του ιονικού στρώματος εμφύτευσης.
