A method and processing tool are provided for trimming a gate electrode
structure containing a gate electrode layer with a first dimension. A
reaction layer is formed through reaction with the gate electrode
structure. The reaction layer is the selectively removed from the
unreacted portion of the gate electrode structure by chemical etching,
thereby forming a trimmed gate electrode structure with a second dimension
that is smaller than the first dimension. The trimming process can be
carried out under process conditions where formation of the reaction layer
is substantially self-limiting. The trimming process can be repeated to
further reduce the dimension of the gate electrode structure.
Метод и инструмент обрабатывать обеспечены для уравновешивать структуру электрода строба содержа слой электрода строба с первым размером. Слой реакции сформирован через реакцию с структурой электрода строба. Слой реакции селективно, котор извлекли от unreacted части структуры электрода строба химически вытравливанием, таким образом формируя уравновешенную структуру электрода строба с вторым размером который более мал чем первый размер. Процесс утески можно снести вне под обработки условий где образование слоя реакции существенн собственн-ogranicivaets4. Процесс утески можно повторить, что более далее уменьшил размер структуры электрода строба.
