A pixel sensor cell for use in a CMOS imager exhibiting improved storage
capacitance. The source follower transistor is formed with a large gate
that has an area from about 0.3 .mu.m.sup.2 to about 10 .mu.m.sup.2. The
large size of the source follower gate enables the photocharge collector
area to be kept small, thereby permitting use of the pixel cell in dense
arrays, and maintaining low leakage levels. Methods for forming the source
follower transistor and pixel cell are also disclosed.
Une cellule de sonde de Pixel pour l'usage dans une encre en poudre de CMOS montrant la capacité améliorée de stockage. Le transistor de palpeur de source est formé avec une grande porte qui a un secteur d'environ 0.3 mu.m.sup.2 au mu.m.sup.2 environ 10. La grande taille de la porte de palpeur de source permet utilisation de secteur de collecteur de photocharge à la petite, laissante de ce fait d'être maintenue de la cellule de Pixel des niveaux bas dans fuite dense de rangées, et de maintien. Des méthodes pour former la cellule de transistor et de Pixel de palpeur de source sont également révélées.
