A semiconductor device includes a group of capacitors and a trench. Each
capacitor includes a first conductive material layer, a dielectric layer,
and a second conductive material layer. The dielectric layer is located
between the first and second conductive material layers. The first
conductive material layer coats an inside surface of a cup-shaped opening
formed in an insulating layer. The trench is formed in the insulating
layer. The trench extends between and crosses each of the capacitors in
the group. The dielectric layer and the second conductive material layer
are formed over the first conductive material layer in the cup-shaped
openings and over an inside surface of the trench. The second conductive
material layer extends between the capacitors of the group via the trench.
Also, the second conductive material layer forms top electrodes for the
capacitors of the group.
Un dispositif de semi-conducteur inclut un groupe des condensateurs et d'un fossé. Chaque condensateur inclut une première couche matérielle conductrice, une couche diélectrique, et une deuxième couche matérielle conductrice. La couche diélectrique est située entre les premières et deuxièmes couches matérielles conductrices. La première couche matérielle conductrice enduit une surface intérieure d'une ouverture cupulaire formée dans une couche de isolation. Le fossé est formé dans la couche de isolation. Le fossé se prolonge entre et croise chacun des condensateurs dans le groupe. La couche diélectrique et la deuxième couche matérielle conductrice sont excédent formé la première couche matérielle conductrice dans les ouvertures cupulaires et excédent une surface intérieure du fossé. La deuxième couche matérielle conductrice se prolonge entre les condensateurs du groupe par l'intermédiaire du fossé. En outre, la deuxième couche matérielle conductrice forme les électrodes supérieures pour les condensateurs du groupe.
