The invention provides a manufacturing method of a laser diode having
buried grown layer with less crystal defects and with low consumption
power and having high reliability in a buried heterostructure laser diode
using an InGaAlAs type material as an active layer, by preventing the
inhibition of burying and regrowing of the active layer caused by
oxidation of Al contained in the active layer.
A manufacturing method of a semiconductor laser diode and the active layer
comprises a material at least containing Al and having a buried
hetero-cross sectional structure, formation of the buried heterostructure,
comprising the steps of fabricating the active layer into a stripe shape
or mesa shape by etching including at least wet etching, cleaning the
stripe-shape sidewall of the core layer with a gas containing chlorine or
other halogen element in a crystal growing apparatus and burying the
active layer in the semiconductor.
La invención provee de un método de fabricación de un diodo del laser que entierra capa crecida de menos defectos del cristal y energía baja de la consumición y teniendo alta confiabilidad en un diodo enterrado del laser de la heteroestructura usando un tipo material de InGaAlAs como capa activa, previniendo la inhibición de enterrar y de regrowing de la capa activa causada por la oxidación del al contenida en la capa activa. Un método de fabricación de un diodo del laser del semiconductor y de la capa activa abarca un material que contiene por lo menos el al y que tiene una estructura seccional enterrada de la hetero-cruz, formación de la heteroestructura enterrada, abarcando los pasos de fabricar la capa activa en una forma de la raya o forma del mesa grabando al agua fuerte incluyendo por lo menos la aguafuerte mojada, limpieza el flanco de la raya-forma de la capa de la base con un gas que contiene la clorina o el otro elemento del halógeno en un aparato del crecimiento cristalino y enterrar la capa activa en el semiconductor.
