The object of the present invention is to form a low-concentration impurity
region with good accuracy in a top gate type TFT. Phosphorus is added to a
semiconductor layer by using a pattern made of a conductive film as a mask
to form an N-type impurity region in a self-alignment manner. A positive
photoresist is applied to a substrate so as to cover the pattern and then
is exposed to light applied to the back of the substrate and then is
developed, whereby a photoresist 110 is formed. The pattern is etched by
using the photoresist pattern as an etching mask to form a gate electrode.
A channel forming region, a source region, a drain region, and
low-concentration impurity regions, are formed in the semiconductor layer
in a self-alignment manner by using the gate electrode as a doping mask.
Предмет присытствыющего вымысла должен сформировать зону примеси низк-konqentraqii с хорошей точностью в верхнем типе TFT строба. Фосфор добавлен к слою полупроводника путем использование картины сделанной из проводной пленки как маска для того чтобы сформировать зону примеси Н-tipa в образе собственн-vyravnivani4. Положительный фоторезист приложен к субстрату для того чтобы покрыть картину и после этого подверган действию к свету приложенному к задней части субстрата и после этого начат, whereby фоторезист 110 сформирован. Картина вытравлена путем использование картины фоторезиста как маска вытравливания сформировать электрод строба. Канал формируя зону, зону источника, зону стока, и зоны примеси низк-konqentraqii, сформирован в слое полупроводника в образе собственн-vyravnivani4 путем использование электрода строба как давая допинг маска.
