Posts are disposed at the surroundings of an FET and a shield metal
supported by the posts is placed above the FET to create a void between
the FET and the shield metal. Since the separation between the FET and the
shield metal is small, the resin does not enter the void. A resin layer
cover the shield metal. The shield metal is connected to an electrode pad
that receives a DC control signal. Although high frequency signals that
are applied to the FET may leak between the source and drain electrodes of
the FET through the resin layer covering the FET even when the FET is
switched off, the void and the shield metal prevent such signal leakage.
Los postes se disponen en los alrededores de un FET y un metal del protector apoyado por los postes se coloca sobre el FET para crear un vacío entre el FET y el metal del protector. Desde la separación entre el FET y el protector el metal es pequeño, la resina no incorpora el vacío. Una cubierta de la capa de la resina el metal del protector. El metal del protector está conectado con un cojín del electrodo que reciba una señal de control de la C.C.. Aunque las señales de alta frecuencia que se aplican al FET pueden escaparse entre la fuente y drenar los electrodos del FET a través de la resina acodan cubrir el FET incluso cuando se apaga el FET, el vacío y el metal del protector previenen tal salida de la señal.
