The semiconductor laser element comprises, from bottom to top, the
p-Al.sub.x Ga.sub.1-x As upper clad layer, p-Al.sub.y Ga.sub.1-y As
resistance control layer, and p-GaAs cap layer (where x>y>0.2). A
portion of only the resistance control layer and cap layer is selectively
etched. The etchant used for this etching is a mixture of organic acid and
hydrogen peroxide based mixture, has such a composition such that the
ratio of dissolution rate of the upper clad layer to the cap layer is
between 10 and 20, and pH is between 7.4 and 7.6.
Das Halbleiterlaser Element enthält, von Unterseite zu Oberseite, das p-Al.sub.x Ga.sub.1-x als obere plattierte Schicht, p-Al.sub.y Ga.sub.1-y als Widerstand Steuerschicht und Kappe p-P-GaAs Schicht (wo x y 0.2). Ein Teil nur der Widerstand Steuerschicht und der Kappe Schicht wird selektiv geätzt. Das etchant verwendet für diese Radierung ist eine Mischung der gegründeten Mischung der organischen Säure und des Wasserstoffperoxids, hat solch einen Aufbau so, daß das Verhältnis der Auflösungrate der oberen plattierten Schicht zur Kappe Schicht zwischen 10 und 20 ist, und pH ist zwischen 7.4 und 7.6.
