The semiconductor device is formed according to the following steps. A TiN
film 71 and a W film 72 are deposited on a silicon oxide film 64 including
the inside of a via-hole 66 by the CVD method and thereafter, the W film
72 and TiN film 71 on the silicon oxide film 64 are etched back to leave
only the inside of the via-hole 66 and form a plug 73. Then, a TiN film
74, Al-alloy film 75, and Ti film 76 are deposited on the silicon oxide
film 64 including the surface of the plug 73 by the sputtering method and
thereafter, the Ti film 76, Al-alloy film 75, and TiN film 74 are
patterned to form second-layer wirings 77 and 78.
Il dispositivo a semiconduttore è formato secondo i seguenti punti. Una pellicola 71 della latta e una pellicola 72 di W sono depositate su una pellicola 64 dell'ossido del silicone compreso la parte interna di un via-foro 66 con il metodo di CVD e da allora in poi, la pellicola 72 di W e la pellicola 71 della latta sulla pellicola 64 dell'ossido del silicone sono incise di nuovo a permesso soltanto la parte interna del via-foro 66 e formano una spina 73. Allora, una pellicola 74 della latta, la pellicola 75 della Al-lega e la pellicola 76 del Ti sono depositate sulla pellicola 64 dell'ossido del silicone compreso la superficie della spina 73 con il metodo di polverizzazione e da allora in poi, la pellicola 76, la pellicola 75 del Ti della Al-lega e la pellicola 74 della latta è modellata per formare i collegamenti 77 e 78 di secondo-strato.
