Non-volatile semiconductor device having a means to relieve a deficient erasure address

   
   

In a flash memory including memory blocks and a controller for performing erasure and the like with respect to the memory blocks, in the case where a deficient erasure status is output when a certain memory block receives an erasure command, a redundancy judging circuit stores an address at that time and an address inside of a redundant block as a redundant address with respect to the address at that time in a redundant address storage region. Thereafter, when the address is accessed, the address is replaced with the redundant address stored in the redundant address storage region, so that a deficient memory block can be replaced with a redundant block.

Σε μια λάμψη η μνήμη συμπεριλαμβανομένων των φραγμών μνήμης και ενός ελεγκτή για την εκτέλεση της εξάλειψης και οι όμοιοι όσον αφορά τη μνήμη εμποδίζουν, στην περίπτωση όπου μια ανεπαρκής θέση εξάλειψης είναι παραγωγή όταν λαμβάνει ένας ορισμένος φραγμός μνήμης μια εντολή εξάλειψης, ένας πλεονασμός που κρίνει το κύκλωμα αποθηκεύει μια διεύθυνση εκείνη την περίοδο και μια διεύθυνση μέσα ενός περιττού φραγμού ως περιττή διεύθυνση όσον αφορά τη διεύθυνση εκείνη την περίοδο σε μια περιττή περιοχή αποθήκευσης διευθύνσεων. Έκτοτε, όταν προσεγγίζεται η διεύθυνση, η διεύθυνση αντικαθίσταται με την περιττή διεύθυνση που αποθηκεύεται στην περιττή περιοχή αποθήκευσης διευθύνσεων, έτσι ώστε ένας ανεπαρκής φραγμός μνήμης μπορεί να αντικατασταθεί με έναν περιττό φραγμό.

 
Web www.patentalert.com

< Non-volatile memory device and matrix display panel using the same

< Electromechanical transducer with an adhesive layer and an anti-diffusion layer

> Method for fabricating a memory device

> FeRAM having test circuit and method for testing the same

~ 00159