A method of forming an integrated circuit including an organosilicate low
dielectric constant insulating layer (40) formed of a substitution group
depleted silicon oxide, such as an organosilicate glass, is disclosed.
Subsequent plasma processing has been observed to break bonds in such an
insulating layer (40), resulting in molecules at the surface of the film
with dangling bonds. Eventually, the damaged insulating layer (40)
includes silanol molecules, which results in a degraded film. The
disclosed method exposes the damaged insulating layer (40) to a thermally
or plasma activated fluorine, hydrogen, or nitrogen, which reacts with the
damaged molecules to form a passivated surface for the insulating layer
(40).
Eine Methode der Formung einer integrierten Schaltung einschließlich eine organosilicate niedrige Isolierschicht der Dielektrizitätskonstante (40), die von einem verbrauchten Silikonoxid des Ersatzes Gruppe, wie einem organosilicate Glas gebildet wird, wird freigegeben. Die folgende Plasmaverarbeitung ist beobachtet worden, um Bindungen in solch einer Isolierschicht (40) zu brechen, und das resultiert in den Molekülen an der Oberfläche des Filmes mit baumelnden Bindungen. Schließlich schließt die beschädigte Isolierschicht (40) silanol Moleküle mit ein, die einen verminderten Film ergibt. Die freigegebene Methode setzt die beschädigte Isolierschicht (40) thermisch oder Plasma aktiviertes Fluor, Wasserstoff oder Stickstoff aus, der mit den beschädigten Molekülen reagiert, um eine passivierte Oberfläche für die Isolierschicht (40) zu bilden.
