An optical semiconductor device with a multiple quantum well structure, is
set out in which well layers and barrier layers, comprising various types
of semiconductor layers, are alternately layered. The device well layers
comprise a first composition based on a nitride semiconductor material
with a first electron energy. The barrier layers comprise a second
composition of a nitride semiconductor material with electron energy which
is higher in comparison to the first electron energy. The well and barrier
layers are in the direction of growth, by a radiation-active quatum well
layer which with the essentially non-radiating well layers (6a) and the
barrier layers (6b), arranged in front, form a supperlattice.
Um dispositivo de semicondutor ótico com uma estrutura múltipla do poço do quantum, é ajustado para fora no que poço mergulhe e camada de barreira, compreendendo vários tipos do semicondutor mergulha, é mergulhado alternadamente. As camadas do poço do dispositivo compreendem uma primeira composição baseada em um material do semicondutor do nitride com uma primeira energia do elétron. As camadas de barreira compreendem uma segunda composição de um material do semicondutor do nitride com energia do elétron que é mais elevada na comparação à primeira energia do elétron. O poço e as camadas de barreira estão no sentido do crescimento, por uma camada radiação-ativa do poço do quatum que com as camadas boas essencialmente non-non-radiating (6a) e as camadas de barreira (6b), arranjadas na parte dianteira, dão forma a um supperlattice.
