A Group III nitride based high electron mobility transistors (HEMT) is
disclosed that provides improved high frequency performance. One
embodiment of the HEMT comprises a GaN buffer layer, with an Al.sub.y
Ga.sub.1-y N (y=1 or y 1) layer on the GaN buffer layer. An Al.sub.x
Ga.sub.1-x N (0.ltoreq.x.ltoreq.0.5) barrier layer on to the Al.sub.y
Ga.sub.1-y N layer, opposite the GaN buffer layer, Al.sub.y Ga.sub.1-y N
layer having a higher Al concentration than that of the Al.sub.x
Ga.sub.1-x N barrier layer. A preferred Al.sub.y Ga.sub.1-y N layer has
y=1 or y.about.1 and a preferred Al.sub.x Ga.sub.1-x N barrier layer has
0.ltoreq.x.ltoreq.0.5. A 2DEG forms at the interface between the GaN
buffer layer and the Al.sub.y Ga.sub.1-y N layer. Respective source, drain
and gate contacts are formed on the Al.sub.x Ga.sub.1-x N barrier layer.
The HEMT can also comprising a substrate adjacent to the buffer layer,
opposite the Al.sub.y Ga.sub.1-y N layer and a nucleation layer between
the Al.sub.x Ga.sub.1-x N buffer layer and the substrate.
Transistori del gruppo III gli alti di mobilità di elettrone basati nitruro (HEMT) è rilevato che fornisce le prestazioni ad alta frequenza migliorate. Un incorporamento del HEMT contiene uno strato dell'amplificatore di GaN, con un Al.sub.y Ga.sub.1-y N (y=1 o strato di y 1) sullo strato dell'amplificatore di GaN. Uno strato di sbarramento di Al.sub.x Ga.sub.1-x N (0.ltoreq.x.ltoreq.0.5) sopra allo strato di Al.sub.y Ga.sub.1-y N, di fronte allo strato dell'amplificatore di GaN, allo strato di Al.sub.y Ga.sub.1-y N che ha un'più alta concentrazione in Al che quello dello strato di sbarramento di Al.sub.x Ga.sub.1-x N. Uno strato preferito di Al.sub.y Ga.sub.1-y N ha y=1 o y.about.1 e uno strato di sbarramento preferito di Al.sub.x Ga.sub.1-x N ha 0.ltoreq.x.ltoreq.0.5. Un 2DEG forma all'interfaccia fra lo strato dell'amplificatore di GaN e lo strato di Al.sub.y Ga.sub.1-y N. I contatti rispettivi di fonte, dello scolo e del cancello sono formati sullo strato di sbarramento di Al.sub.x Ga.sub.1-x N. La latta del HEMT anche che contiene un substrato adiacente allo strato dell'amplificatore, di fronte allo strato di Al.sub.y Ga.sub.1-y N e ad uno strato di nucleazione fra lo strato dell'amplificatore di Al.sub.x Ga.sub.1-x N ed il substrato.
