A method and structure for a transistor that includes an insulator and a
silicon structure on the insulator. The silicon structure includes a
central portion and Fins extending from ends of the central portion. A
first gate is positioned on a first side of the central portion of the
silicon structure. A strain-producing layer could be between the first
gate and the first side of the central portion of the silicon structure
and a second gate is on a second side of the central portion of the
silicon structure.
Μια μέθοδος και μια δομή για μια κρυσταλλολυχνία που περιλαμβάνει έναν μονωτή και μια δομή πυριτίου στο μονωτή. Η δομή πυριτίου περιλαμβάνει μια κεντρική μερίδα και τα πτερύγια εκτεινόμενος από τις άκρες της κεντρικής μερίδας. Μια πρώτη πύλη τοποθετείται σε μια πρώτη πλευρά της κεντρικής μερίδας της δομής πυριτίου. Ένα πίεση-παράγοντας στρώμα θα μπορούσε να είναι μεταξύ της πρώτης πύλης και η πρώτη πλευρά της κεντρικής μερίδας της δομής πυριτίου και μιας δεύτερης πύλης είναι σε μια δεύτερη πλευρά της κεντρικής μερίδας της δομής πυριτίου.
