Photoresist monomers of following Formula 1, photoresist polymers thereof,
and photoresist compositions containing the same. The photoresist polymers
include a repeating unit comprising the photoresist monomer of Formula 1
as a comonomer and the photoresist compositions containing the same have
excellent etching resistance, heat resistance and adhesiveness to a wafer,
and are developable in aqueous tetramethylammonium hydroxide (TMAH)
solutions. In addition, the photoresist compositions have a low light
absorbance at 157 nm wavelength, and thus are suitable for a
photolithography process using ultraviolet light sources such as VUV (157
nm) in fabricating a minute circuit for a high integration semiconductor
device.
##STR1##
wherein Y.sub.1, Y.sub.2, Y.sub.3, Y.sub.4, Y.sub.5, Y.sub.6, Z.sub.1,
Z.sub.2 and m are defined in the specification.
Monomères de vernis photosensible de la formule suivante 1, des polymères de vernis photosensible en, et des compositions de vernis photosensible contenant la même chose. Les polymères de vernis photosensible incluent une unité de répétition comportant le monomère de vernis photosensible de la formule 1 comme comonomère et les compositions en vernis photosensible contenant la même chose ont l'excellente résistance gravure à l'eau-forte, la résistance thermique et l'adhérence à une gaufrette, et sont développables dans les solutions aqueuses de l'hydroxyde de tetramethylammonium (TMAH). En outre, les compositions en vernis photosensible ont une absorbance de basse lumière à la longueur d'onde de 157 nm, et conviennent ainsi aux sources employantes de processus d'une lumière UV de photolithographie telles que VUV (157 nm) en fabriquant un circuit minutieux pour un dispositif de semi-conducteur élevé d'intégration. ## du ## STR1 où Y.sub.1, Y.sub.2, Y.sub.3, Y.sub.4, Y.sub.5, Y.sub.6, Z.sub.1, Z.sub.2 et m sont définis dans les spécifications.
