A semiconductor device of a high heat radiation type having improved
reliability is disclosed. The semiconductor device comprises a
semiconductor chip with plural bonding pads formed thereon, plural inner
leads, plural bonding wires for connecting the bonding pads and the inner
leads with each other, a heat spreader having a chip supporting surface
for supporting the semiconductor chip and also having a rear surface
exposed to the exterior, a chip bonding material for bonding the
semiconductor chip and the heat spreader with each other, a resin body
which seals the semiconductor chip with a sealing resin, and plural outer
leads projecting to the exterior from the resin body. A protruding portion
protruding upward from the chip supporting surface is formed around the
chip on the chip supporting surface of the heat spreader, thereby
relieving a thermal stress imposed on an end portion of the chip bonding
material and improving the reliability of a QFP as the semiconductor
device.
Un dispositivo a semiconduttore di alto tipo di radiazione di calore che migliora l'affidabilità è rilevato. Il dispositivo a semiconduttore contiene un circuito integrato a semiconduttore con i rilievi di bonding plurali formati su ciò, cavi interni plurali, bonding plurale lega per il collegamento i rilievi di bonding e dei cavi interni con a vicenda, uno spalmatore di calore che hanno una superficie di sostegno del circuito integrato per il sostegno del circuito integrato a semiconduttore ed anche avere una superficie posteriore esposta all'esterno, un materiale di bonding del circuito integrato per il legame il circuito integrato a semiconduttore e dello spalmatore di calore con a vicenda, un corpo della resina che sigilla il circuito integrato a semiconduttore con una resina di sealing ed i cavi esterni plurali che si proiettano all'esterno dal corpo della resina. Una parte di sporgenza che sporge verso l'alto dalla superficie di sostegno del circuito integrato è formata intorno al circuito integrato sulla superficie di sostegno del circuito integrato dello spalmatore di calore, quindi alleviando uno sforzo termico imposto ad una parte terminale del materiale di bonding del circuito integrato e migliorando l'affidabilità di un QFP come il dispositivo a semiconduttore.
