An object of the present invention is to provide a ceramic substrate for a
semiconductor producing/examining device, capable of controlling the
temperature of a resistance heating element, thereby suitably controlling
the temperature of a semiconductor wafer placed on a ceramic substrate or
the like and evenly heating the semiconductor wafer. The ceramic substrate
for a semiconductor producing/examining device according to the present
invention comprises at least a resistance heating element formed on a
surface thereof or inside thereof, wherein a region: where a semiconductor
wafer is directly placed; or where a semiconductor wafer is placed apart
from the surface thereof while keeping a given distance, exists inside a
surface region corresponding to the region where said resistance heating
element is formed.
Ένα αντικείμενο της παρούσας εφεύρεσης είναι να παρασχεθεί ένα κεραμικό υπόστρωμα για έναν ημιαγωγό παράγοντας/εξετάζοντας τη συσκευή, ικανή τη θερμοκρασία ενός στοιχείου θέρμανσης αντίστασης, με αυτόν τον τρόπο ελέγχοντας κατάλληλα τη θερμοκρασία μιας γκοφρέτας ημιαγωγών που τοποθετείται σε ένα κεραμικό υπόστρωμα ή τους ομοίους και θερμαίνοντας ομοιόμορφα την γκοφρέτα ημιαγωγών. Το κεραμικό υπόστρωμα για έναν ημιαγωγό παράγοντας/εξετάζοντας τη συσκευή σύμφωνα με την παρούσα εφεύρεση περιλαμβάνει τουλάχιστον ένα στοιχείο θέρμανσης αντίστασης που διαμορφώνεται σε μια επιφάνεια επ' αυτού ή μέσα επ' αυτού, όπου μια περιοχή: όπου μια γκοφρέτα ημιαγωγών τοποθετείται άμεσα ή όπου μια γκοφρέτα ημιαγωγών τοποθετείται εκτός από την επιφάνεια επ' αυτού κρατώντας μια δεδομένη απόσταση, υπάρχει μέσα σε μια περιοχή επιφάνειας που αντιστοιχεί στην περιοχή όπου το εν λόγω στοιχείο θέρμανσης αντίστασης διαμορφώνεται.
