The present invention provides a semiconductor memory capable of shortening
a refresh cycle time and reducing power consumption at refresh. The
semiconductor memory includes an address input circuit for generating each
of internal address signals, a redundant judgement circuit for receiving
the internal address signal therein and determining whether the
corresponding address corresponds to an address for a defective word line
of a plurality of normal word lines, and an address counter for generating
refresh address signals for sequentially refreshing the plurality of
normal word lines and redundant word lines. The redundant judgment circuit
is deactivated upon refresh.
Die anwesende Erfindung liefert einen Halbleiterspeicher, der zur Verkürzung einer erneuernzykluszeit fähig ist und Leistungsaufnahme an verringernd, erneuern Sie. Der Halbleiterspeicher schließt einen Adresse Eingang Stromkreis für das Erzeugen jedes von internen Adresse Signalen, ein überflüssiger Urteilstromkreis für das interne Adresse Signal darin empfangen und die Bestimmung ein, ob die entsprechende Adresse einer Adresse für eine defekte Wortlinie einer Mehrzahl der normalen Wortlinien entspricht, und ein câdressenzähler für das Erzeugen erneuern Adresse Signale für die Mehrzahl der normalen Wortlinien und der überflüssigen Wortlinien der Reihe nach erneuern. Der überflüssige Urteilstromkreis wird auf erneuern entaktiviert.
