Method of making high-voltage bipolar/CMOS/DMOS (BCD) devices

   
   

A process for making a integrated circuits of different typed is described wherein sequence of mask steps is applied to a substrate or epitaxial layer of p-type material. The sequence is chosen from a predefined common set of mask steps according to the particular type of integrated circuit to be fabricated. In this way, various types of integrated circuit can be fabricated in a most efficient manner.

Описан процесс для делать интегрированные напечатанные на машинке цепи по-разному при котором последовательность шагов маски приложена к субстрату или эпитаксиальному слою материала п-tipa. Последовательность выбрана от предопределенного комплекта общего шагов маски согласно определенному типу интегрированной цепи, котор нужно изготовить. В этой дороге, различные типы интегрированной цепи можно изготовить в самом эффективном образе.

 
Web www.patentalert.com

< Replication and transfer of microstructures and nanostructures

< Method of etching a deep trench having a tapered profile in silicon

> Thin film resonator and method for manufacturing the same

> Barrier layers for microelectromechanical systems

~ 00158