The invention relates to new conjugated mono-, oligo- and
polydithienopyridines, their use as semiconductors or charge transport
materials in optical, electrooptical or electronic devices including field
effect transistors, electroluminescent, photovoltaics, sensors and
electrophotographic recording devices, and to a field effect transistor as
a component of integrated circuitry, as a thin fim transistor in flat
panel display applications or for RFID tags, or a semiconducting component
in organic light-emitting diode applications, comprising the new mono-,
oligo and polydithienopyridines.
L'invention concerne nouveau mono conjugué -, l'oligo- et les polydithienopyridines, leur utilisation comme semi-conducteurs ou matériaux de transport de charge dans des dispositifs optiques, electrooptical ou électroniques comprenant des transistors à effet de champ, électro-luminescent, le photovoltaics, des sondes et des dispositifs électrophotographiques d'enregistrement, et à un transistor à effet de champ comme composant des circuits intégrés, comme transistor mince de fim dans des applications d'affichage sur écran plat ou pour des étiquettes de RFID, ou un composant semi-conducteur dans des applications organiques de diode luminescente, comportant le nouveau mono -, l'oligo et les polydithienopyridines.
