The present invention relates to an organic thin film transistor (OTFT)
comprising: a substrate (1), a gate electrode (2) formed on the substrate
(1), a gate insulation layer formed on the gate electrode, a source
electrode (5) and a drain electrode (6) formed on the gate insulation
layer including a first insulation layer (3) and a second insulation layer
(4) with different dielectric constants, and an active layer (7) which
overlays the source electrode (5) and the drain electrode (6). Without
adding the conventional complicated processes like photolithography but
adding two simple processes of spin coating or vaporously coating the
second insulation film and self-aligned dry RIE, the present invention not
only can improve the carrier's injection property so as to improve the
OTFT device's properties, but also can block the leakage current of the
gate insulation layer and reduce the device's parasitic capacitance.
Therefore, the material with high dielectric constant can be used as the
insulation layer to increase the channel capacitance so as to reduce
threshold voltage of the device and reduce the adverse effect of the
leakage between the source and gate electrodes, the gate and drain
electrodes.
La présente invention concerne une comportement organique du transistor de la couche mince (OTFT) : un substrat (1), une électrode de porte (2) a formé sur le substrat (1), une couche d'isolation de porte formée sur l'électrode de porte, une électrode de source (5) et une électrode de drain (6) formée sur la couche d'isolation de porte comprenant une première couche d'isolation (3) et une deuxième couche d'isolation (4) avec différentes constantes diélectriques, et une couche active (7) qui recouvre l'électrode de source (5) et l'électrode de drain (6). Sans ajouter les processus compliqués conventionnels comme la photolithographie mais sans ajouter deux processus simples de l'enduit de rotation ou enduire vaporously le deuxièmes film d'isolation et art de l'auto-portrait-aligned séchez RIE, la présente invention non seulement peut améliorer la propriété de l'injection de porteur afin d'améliorer les propriétés du dispositif d'OTFT, mais également puisse bloquer le courant de fuite de la couche d'isolation de porte et réduire la capacité parasite du dispositif. Par conséquent, le matériel avec la constante diélectrique élevée peut être employé comme couche d'isolation pour augmenter la capacité de canal afin de réduire la tension de seuil du dispositif et réduire l'effet nuisible de la fuite entre la source et les électrodes de porte, la porte et des électrodes de drain.
