Method and apparatus for detecting the presence and thickness of carbon and oxide layers on EUV reflective surfaces

   
   

The characteristics of radiation that is reflected from carbon deposits and oxidation formations on highly reflective surfaces such as Mo/Si mirrors can be quantified and employed to detect and measure the presence of such impurities on optics. Specifically, it has been shown that carbon deposits on a Mo/Si multilayer mirror decreases the intensity of reflected HeNe laser (632.8 nm) light. In contrast, oxide layers formed on the mirror should cause an increase in HeNe power reflection. Both static measurements and real-time monitoring of carbon and oxide surface impurities on optical elements in lithography tools should be achievable.

Les caractéristiques du rayonnement qui est reflété des gisements de carbone et des formations d'oxydation sur les surfaces fortement r3fléchissantes telles que des miroirs de Mo/Si peuvent être mesurées et utilisées pour détecter et mesurer la présence de telles impuretés sur le systeme optique. Spécifiquement, on lui a montré que les gisements de carbone sur un miroir multicouche de Mo/Si diminue l'intensité de la lumière réfléchie du laser de HeNe (632.8 nm). En revanche, les couches d'oxyde formées sur le miroir devraient causer une augmentation de réflexion de puissance de HeNe. Les mesures statiques et la surveillance en temps réel des impuretés extérieures de carbone et d'oxyde sur les éléments optiques dans des outils de lithographie devraient être réalisables.

 
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