A method for producing a semiconductor device with a built-in light
receiving element is provided. The device comprises a light receiving
element region for receiving and converting an optical signal to an
electric signal, the light receiving element region being provided on a
substrate. The method comprises the steps forming an anti-reflection film
in the light receiving element region on the substrate, and forming a
protection film, the protection film serving as an etch stop film in a
subsequent etching step.
Обеспечен метод для производить прибора на полупроводниках с built-in светлым получая элементом. Приспособление состоит из светлой получая зоны элемента для получать и преобразовывать оптически сигнал к электрическому сигналу, светлой получая зоне элемента будучи обеспечиванным на субстрате. Метод состоит из шагов формируя пленку anti-reflection в светлой получая зоне элемента на субстрате, и формируя пленку предохранения, сервировку пленки предохранения по мере того как пленка стопа etch в затем шаге вытравливания.
