In an electric potential generating device, a source of an N type MIS
transistor is mutually connected to that of a P type MIS transistor and
also connected to an output terminal. A drain of an N type MIS transistor
54 is connected to a power supply voltage supply portion for supplying
power supply voltage VDD, and a drain of the P type MIS transistor is
connected to a ground. In addition, a substrate potential of the N type
MIS transistor is a ground voltage VSS, and that of a P type MIS
transistor 56 is the power supply voltage VDD. Thus, it is constituted as
a source follower circuit for taking output out of the source. It is
possible, by utilizing this electric potential generating device, to
obtain a logic transformation circuit for stably switching between NOR
operation and NAND operation.
In einer elektrischen möglichen erzeugenden Vorrichtung wird eine Quelle einer N Art MIS Transistor gegenseitig an die einer P Art MIS Transistor angeschlossen und angeschlossen auch an einen Ausgangsanschluß. Ein Abfluß einer N Art MIS Transistor 54 wird an einen Spg.Versorgungsteilspannung Versorgungsmaterial-Teil für liefernde Spg.Versorgungsteilspannung VDD angeschlossen, und ein Abfluß der P Art MIS Transistor wird an einen Boden angeschlossen. Zusätzlich ist ein Substratpotential der N Art MIS Transistor eine Grundspannung Seitenflossenstation, und die einer P Art MIS Transistor 56 ist die Spg.Versorgungsteilspannung VDD. So wird sie als Quellnachfolgerstromkreis für das Nehmen des Ausganges aus der Quelle heraus festgesetzt. Es ist möglich, indem man diese elektrische mögliche erzeugende Vorrichtung verwendet, um einen Logikumwandlungstromkreis für beständig schalten zwischen NOCH Betrieb und NAND Betrieb zu erhalten.
