A dual gate oxide high-voltage semiconductor device and method for forming
the same are provided. Specifically, a device formed according to the
present invention includes a semiconductor substrate, a buried oxide layer
formed over the substrate, a silicon layer formed over the buried oxide
layer, and a top oxide layer formed over the silicon layer. Adjacent an
edge of the top oxide layer, a dual gate oxide is formed. The dual gate
oxide allows both specific-on-resistance and breakdown voltage of the
device to be optimized.
Un dispositivo y un método de alto voltaje de semiconductor del óxido dual de la puerta para formar igual se proporcionan. Específicamente, un dispositivo formado según la actual invención incluye un substrato del semiconductor, una capa enterrada del óxido formada sobre el substrato, un excedente formado capa del silicio la capa enterrada del óxido, y una capa superior del óxido formada sobre la capa del silicio. Adyacente un borde de la capa superior del óxido, un óxido dual de la puerta se forma. El óxido dual de la puerta permite especi'fico-en-resistencia y el voltaje de interrupción del dispositivo que se optimizará.
