Sense amplifier configuration for a semiconductor memory device

   
   

A memory sense amplifier for a semiconductor memory device is provided with a compensation current source device that generates a compensation current and feeds it to an interconnected bit line. The compensation current is selected in such a manner that during readout a potential gradient can be generated and/or maintained in cooperation with a compensation voltage source device on the selected and interlinked bit line device that is substantially constant over time.

Um amplificador do sentido da memória para um dispositivo de memória do semicondutor é fornecido com um dispositivo atual da fonte da compensação que gere uma compensação atual e a alimente a uma linha interconectada do bocado. A corrente da compensação é selecionada em tal maneira que durante o readout um gradient potencial pode ser gerado e/ou mantido na cooperação com um dispositivo da fonte da tensão da compensação na linha selecionada e interlinked dispositivo do bocado que é tempo excedente substancialmente constante.

 
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