CODING CELL OF NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE AND OPERATING METHOD THEREOF, AND COLUMN REPAIR CIRCUIT OF NONVOLATILE FERROELECTRIC MEMORY DEVICE HAVING THE CODING CELL AND METHOD FOR REPAIRING COLUMN

   
   

A fail repair circuit of a nonvolatile ferroelectric memory device and a method for repairing the same are disclosed, in which a redundancy time can be reduced and a redundancy algorithm can be changed or added at any time. The fail repair circuit includes: a memory test logic block generating a redundancy active pulse (RAP) if a row address including a fail bit to be repaired is found during test; a power-up sensor generating a power-up pulse if a stable power source voltage is sensed; a first redundancy control block generating first to fifth control signals ENN, ENP, EQN, CPL, and PREC and a sixth control signal ENW in response to the RAP and the power-up pulse; a counter generating n bit counter bit signal increased by one bit through the RAP to correspond to the number of redundancy bits; a redundancy counter decoding control block generating an activated coding signal ENW in response to the counter bit signal of the counter and the sixth control signal ENW; and a redundancy coding block outputting a master signal in response to the coding signal ENW and the first to fifth control signals, programming a fail address in a plurality of redundancy coding cells, and outputting seventh and eighth control signals REN and RPUL to repair the programmed fail address.

Αποτύχετε το κύκλωμα επισκευής μιας αμετάβλητης σιδηροηλεκτρικής συσκευής μνήμης και μια μέθοδος για το ίδιο πράγμα αποκαλύπτεται, στο οποίο ένας χρόνος πλεονασμού μπορεί να μειωθεί και έναν αλγόριθμο πλεονασμού μπορεί να αλλάξουν ή να προστεθεί οποιαδήποτε στιγμή. Αποτύχετε το κύκλωμα επισκευής περιλαμβάνει: ένας φραγμός λογικής δοκιμής μνήμης που παράγει έναν ενεργό σφυγμό πλεονασμού (RAP) εάν μια διεύθυνση σειρών συμπεριλαμβανομένου αποτυγχάνει το κομμάτι που επισκευάζεται βρίσκεται κατά τη διάρκεια της δοκιμής ένας δύναμη-επάνω αισθητήρας που παράγει έναν δύναμη-επάνω σφυγμό εάν μια σταθερή τάση πηγής ισχύος αισθάνεται ένας πρώτος φραγμός ελέγχου πλεονασμού που παράγει πρώτα στα πέμπτα σήματα ελέγχου ENN, ENP, EQN, CPL, και PREC και ένα έκτο σήμα ελέγχου ENW σε απάντηση στο RAP και το δύναμη-επάνω σφυγμό ένα αντίθετο παραγωγικό ν δάγκωσε το αντίθετο σήμα κομματιών που αυξήθηκε από ένα δάγκωσε μέσω του RAP για να αντιστοιχεί στον αριθμό κομματιών πλεονασμού ένας αντίθετος αποκωδικοποιώντας φραγμός ελέγχου πλεονασμού που παράγει ένα ενεργοποιημένο σήμα ENW κωδικοποίησης σε απάντηση στο αντίθετο σήμα κομματιών του μετρητή και το έκτο σήμα ελέγχου ENW και ένας φραγμός κωδικοποίησης πλεονασμού poy ένα κύριο σήμα σε απάντηση στο σήμα ENW και ο πρώτος στα πέμπτα σήματα ελέγχου, προγραμματισμός κωδικοποίησης αποτυγχάνει τη διεύθυνση σε μια πολλαπλότητα των κυττάρων κωδικοποίησης πλεονασμού, και τα έβδομα και όγδοα σήματα ελέγχου REN και RPUL για να επισκευάσουν προγραμματισμένος αποτυγχάνουν τη διεύθυνση.

 
Web www.patentalert.com

< Method of forming an FeRAM having a multi-layer hard mask and patterning thereof

< Semiconductor device and a method of manufacturing the same

> Remote control device with directional mode indicator

> Nonvolatile ferroelectric memory control device

~ 00157